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本公开提出一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包含半导体基板以及位于有源装置上的内连结构。内连结构包含第一层、位于第一层上的第二层、位于第二层上的第三层以及位于第三层上的第四层。第一穿孔延伸穿过半导体基板、第一层以及第二层。第二穿孔延伸穿...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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