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本发明实施例提供了一种集成电路器件,包括位于衬底上方的金属互连件内的介电结构。介电结构包括空腔。第一介电层提供空腔的腔顶。第二介电层提供空腔的底板。不同于第一介电层和第二介电层的材料提供空腔的侧边缘。在空腔的中心区域中,空腔具有恒定高度。可...该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。
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本发明实施例提供了一种集成电路器件,包括位于衬底上方的金属互连件内的介电结构。介电结构包括空腔。第一介电层提供空腔的腔顶。第二介电层提供空腔的底板。不同于第一介电层和第二介电层的材料提供空腔的侧边缘。在空腔的中心区域中,空腔具有恒定高度。可...