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本公开实施例涉及一种半导体结构及其制备方法。该方法包括：包括阵列区和外围区的基底，阵列区靠近外围区的边缘处形成有依次叠置的导电层、引出层、第一隔离层和介质层，外围区形成有第二隔离层和所述介质层，其中，导电层、引出层以及第一隔离层位于基底表面...
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