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本发明公开了一种评估InGaP/GaAs HBT外延片基极层材料特性的方法，该方法包括：提供一InGaP/GaAs HBT外延片，外延片包括了砷化镓衬底，砷化镓衬底上表面的n型子集电层，n型子集电层表面生长的n型集电层，n型集电层表面生长的...
该专利属于西安唐晶量子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安唐晶量子科技有限公司授权不得商用。

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