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本公开提出一种半导体装置。半导体装置包含位于半导体基板上的第一导电特征部件、位于第一导电特征部件上的底部电极、位于底部电极上的磁性穿隧接面堆叠以及位于磁性穿隧接面堆叠上的顶部电极。间隔物接触顶部电极侧壁、磁性穿隧接面堆叠的侧壁以及底部电极的...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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