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用于通过减少双倍数据速率(DDR)存储器训练来减少片上系统(SOC)的引导时间以及用于存储器上下文恢复的方法。将动态随机存取存储器(DRAM)控制器和DDR物理接口(PHY)设置存储到非易失性存储器中，并将所述DRAM控制器和所述DDR P...
该专利属于超威半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过超威半导体公司授权不得商用。

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