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本发明提供了一种高度集成的存储器单元和包括该存储器单元的半导体存储器件。根据本发明，一种半导体存储器件包括：衬底；有源层，其与衬底间隔开，在与衬底平行的方向上延伸，并包括薄体沟道；位线，其在与衬底垂直的方向上延伸并连接至有源层的一侧；电容器...
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