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本公开实施例涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构，半导体结构的制备方法包括：提供第一衬底，在第一衬底形成阵列区，阵列区形成有第一晶体管以及存储电容，且在第一衬底中形成第一电连接结构，第一电连接结构与阵列区电连接，且还在形成阵列区的工艺中...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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