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本申请涉及半导体装置及其制造方法。一种用于制造半导体装置的方法包括：形成包括互连件的下部结构；形成联接到互连件的第一接触插塞；在第一接触插塞和下部结构之上形成介电层和牺牲层的交替层叠物。该方法还包括：形成贯穿交替层叠物并暴露第一接触插塞的开...
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