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提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：在三维(3D)堆叠中的交叉联接栅极电路，包括多个晶体管，所述多个晶体管当中的第一晶体管的第一栅线连接到所述多个晶体管当中的第四晶体管的第四栅线，所述多个晶体管当中的第二晶体管的第二栅线连接...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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