温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种半导体装置(例如三维存储器阵列装置)及其制造方法在此作叙述。此制造方法包含在多层堆叠中蚀刻第一沟槽以及第二沟槽，多层堆叠包含交替的介电层以及牺牲层。制造方法进一步包含通过以导电材料取代牺牲层以形成字元线。形成字元线后，在第一沟槽中形成第...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。