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在一些实施例中，本公开涉及一种形成电容器结构的方法。该方法包括在下电极层上方形成电容器介电层，以及在电容器介电层上方形成上电极层。蚀刻上电极层以界定上电极且暴露电容器介电层的部分。间隔结构形成在上电极层和电容器介电层的水平延伸表面上并且还沿...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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