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本发明涉及一种GaN HEMT器件的共源共栅封装结构及方法，包括：Si MOS器件和GaN HEMT器件；Si MOS器件的源极与GaN HEMT器件的栅极通过第一源极通孔、第二导通线、第二栅极通孔连接；Si MOS器件的漏极与GaN HE...
该专利属于江苏能华微电子科技发展有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏能华微电子科技发展有限公司授权不得商用。

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