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本公开涉及一种硬掩膜及其制备方法、半导体结构的制备方法。所述硬掩膜，用于刻蚀，包括：掩膜材料层以及层叠设置于所述掩膜材料层上方的牺牲层和等离子体沉积层；其中，所述牺牲层包括：间隔设置的多个支撑部，以及位于任一所述支撑部侧壁上的侧墙；所述侧墙...
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