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本公开提出一种半导体装置结构。半导体装置结构包含第一介电部件,沿着第一方向延伸,第一介电部件包含第一介电层,第一介电层具有第一侧壁以及相对第一侧壁的第二侧壁;第一半导体层,与第一侧壁相邻设置,第一半导体层沿着垂直于第一方向的第二方向延伸;第...该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。
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本公开提出一种半导体装置结构。半导体装置结构包含第一介电部件,沿着第一方向延伸,第一介电部件包含第一介电层,第一介电层具有第一侧壁以及相对第一侧壁的第二侧壁;第一半导体层,与第一侧壁相邻设置,第一半导体层沿着垂直于第一方向的第二方向延伸;第...