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本揭露为一种具有埋入式栅极结构的半导体元件及其形成方法。半导体元件包含基材与位于基材上的鳍结构。鳍结构包含顶部位以及底部位。半导体元件进一步包含位于鳍结构的底部位上的栅极结构。位于鳍结构的顶部位中的多个半导体层被设置在栅极结构上。半导体元件...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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