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一种半导体元件及其形成方法,半导体元件包括基板、第一鳍片、第二鳍片、第一隔离结构、第二隔离结构及栅极结构。第一鳍片自基板的P型区域延伸。第二鳍片自基板的N型区域延伸。第一隔离结构是在P型区域上,且与第一鳍片相邻。第一隔离结构具有底表面及相对...该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。
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一种半导体元件及其形成方法,半导体元件包括基板、第一鳍片、第二鳍片、第一隔离结构、第二隔离结构及栅极结构。第一鳍片自基板的P型区域延伸。第二鳍片自基板的N型区域延伸。第一隔离结构是在P型区域上,且与第一鳍片相邻。第一隔离结构具有底表面及相对...