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提供一种半导体配置及形成此半导体配置的方法与电容器。此半导体配置包含第一导电层及未于第一导电层之上的第一介电层。第二导电层位于第一介电层的一部分之上，且具有侧壁表面。间隙壁位于第二导电层的侧壁的一部分之上，且覆盖第二导电层与第一介电层之间的...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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