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本发明的实施例公开了一种光刻系统和方法。光刻系统利用锡滴产生用于光刻的极紫外辐射。光刻系统用激光照射液滴。液滴变成等离子体，并发出极强的紫外线辐射。传感器阵列可感测到极端的紫外线辐射和液滴散发出来的带电粒子。控制系统分析来自传感器的传感器信...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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