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本发明提供半导体器件的制作方法、半导体器件以及三维存储装置，制作方法包括：提供衬底，衬底包括相邻的第一区域和第二区域；在第一区域和第二区域上依次形成氧化层和第一掩膜层；在衬底中形成位于第一区域的第一浅沟槽隔离结构以及位于第二区域的第二浅沟槽...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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