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本发明涉及一种气密性芯片结构及其制备方法。方法包括：在设有至少一个第一线路区的顶部TSV芯片上，分别电镀上至少一个第一铜环以及至少一个第一铜柱；在设有至少一个第二线路区的底部芯片上，分别电镀上至少一个第二铜环和至少一个第二铜柱；将电镀后的顶...
该专利属于南京睿芯峰电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京睿芯峰电子科技有限公司授权不得商用。

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