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绝缘层和牺牲材料层的交替堆叠在衬底上方形成。穿过该交替堆叠形成存储器开口和支撑开口，并且分别在存储器开口和支撑开口中形成存储器开口填充结构和支撑柱结构。穿过交替堆叠形成延伸到牺牲材料层中的每个牺牲材料层的通孔腔体，而不在交替堆叠中形成任何阶...
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