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本公开涉及用于形成SRAM存储单元结构的半导体器件和方法。一种装置包括存储单元。存储单元中的第一存储单元包括布置在第一掺杂区域中的第一写入端口和布置在第二掺杂区域中的第一读取端口。第一读取端口通过存储单元中的第二存储单元的第二写入端口与第一...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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