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本公开涉及具有非对称衬底接触件的2D沟道晶体管结构。提供了半导体器件及其形成方法。一种方法包括提供具有半导体结构的工件；在半导体结构上方淀积二维(2D)材料层；形成与半导体结构和2D材料层电连接的源极特征和漏极特征，其中源极特征和漏极特征包...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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