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一种场效应晶体管、半导体结构及其形成方法，场效应晶体管含有半导体材料层，此半导体材料层包括源极侧掺杂阱、源极区及漏极区。浅沟槽隔离结构嵌入在此半导体材料层中且在此源极区与此漏极区之间延伸。栅极介电层覆盖在此半导体材料层上。栅电极的水平延伸部...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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