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描述了用于不同3D晶体管堆叠体中的源极/漏极区的3D制作的方法，其中同时制作多个平面。这些方法允许制造任何3D源极/漏极序列以针对给定3D逻辑电路或设计来定制逻辑布局。描述了基于NMOS和PMOS场效应晶体管来形成堆叠式SRAM器件、双堆叠...
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