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公开了三维(3D)存储器件及其形成方法。在某些方面，堆叠结构包括交错的电介质层和导电层、在堆叠结构中延伸的沟道结构、以及布置在堆叠结构上的掺杂半导体层。掺杂半导体层覆盖堆叠结构和沟道结构的端部，沟道结构包括沟道层，且沟道层包括掺杂沟道层。且...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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