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一种用于处理半导体晶圆的设备以及用于控制引物施加气体中引物量的系统和方法，用于控制引物施加气体中引物量的系统包括：第一感测器，该第一感测器用于侦测馈送至含有半导体晶圆的腔室中的引物施加气体中的第一含量；第二感测器，该第二感测器用于侦测自腔室...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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