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一种半导体装置，记忆体装置及其制造方法，半导体装置包含沿垂直方向延伸的第一导电结构及沿垂直方向延伸的第二导电结构。第二导电结构沿一侧向与第一导电结构间隔开。半导体装置进一步包含多个第三导电结构，各个第三导电结构沿该侧向延伸。多个第三导电结构...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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