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本案公开一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一第一堆叠结构设置于一第一基底；一第一杂质区域与一第二杂质区域分别设置于该第一堆叠结构相对的侧边并与该第一堆叠结构操作性地关联；一第二堆叠结构设置于该第一堆叠结构，且一中间绝缘层设置于其间...
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