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本发明涉及压阻传感器技术领域，具体涉及一种差压式MEMS压阻传感器及其自测试方法。该传感器中，金属导线模组设置在第二保护层远离薄膜层的一侧；固定支架设置在第一保护层远离薄膜层的一侧；第一磁场发生装置和第二磁场发生装置设置在压阻传感模组周围；...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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