一种差压式MEMS压阻传感器及其自测试方法技术

本发明专利技术涉及压阻传感器技术领域，具体涉及一种差压式MEMS压阻传感器及其自测试方法。该传感器中，金属导线模组设置在第二保护层远离薄膜层的一侧；固定支架设置在第一保护层远离薄膜层的一侧；第一磁场发生装置和第二磁场发生装置设置在压阻传感模组周围；信号处理电路的信号输入端连接压阻传感模组的信号输出端；信号处理电路分别供电连接金属导线模组和压阻传感模组本发明专利技术提供了差压式MEMS压阻传感器能的压力自测试功能，省去了搭建片外测试设备、反复拆卸测试的过程，提高了差压式MEMS压阻传感器的检测效率。阻传感器的检测效率。阻传感器的检测效率。

【技术实现步骤摘要】
一种差压式MEMS压阻传感器及其自测试方法


[0001]本专利技术涉及压阻传感器
，具体涉及一种差压式MEMS压阻传感器及其自测试方法。

技术介绍

[0002]差压式MEMS压阻传感器属于一种压阻传感器，当压阻传感器的弹性膜片受到压力作用时，膜片上的力敏电阻阻值会发生变化，这样通过测量电路，就可以得到与压力成线性关系的电压输出或者电流输出，以检测到外界气压、应变等压力的大小。
[0003]差压式MEMS压阻传感器需要在投入使用后，定时检测，但现有通常采用高精度的片外测试设备对差压式MEMS压阻传感器进行复杂的物理激励，但目前片外测试设备通常是大型昂贵的测试设备，这就导致整个测试过程成本较高，费时费力，效率不高。
[0004]因此，如何提高差压式MEMS压阻传感器的检测效率，是目前亟需解决的技术问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的是提供一种差压式MEMS压阻传感器及其自测试方法，以提高差压式MEMS压阻传感器的检测效率。
[0006]为实现上述目的，本专利技术实施例提供了以下方案：...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种差压式MEMS压阻传感器，其特征在于，包括：金属导线模组、压阻传感模组、固定支架、第一磁场发生装置、第二磁场发生装置和信号处理电路；所述压阻传感模组包括：叠放设置的第一保护层、薄膜层和第二保护层；所述薄膜层靠近所述第一保护层的一侧设有压阻条；所述第一保护层远离所述薄膜层的一侧设有金属电极；所述金属电极与所述压阻条电连接；所述金属导线模组设置在所述第二保护层远离所述薄膜层的一侧；所述固定支架设置在所述第一保护层远离所述薄膜层的一侧；所述第一磁场发生装置和所述第二磁场发生装置均设置在所述压阻传感模组周围，以共同为所述压阻传感模组提供静态磁场；所述信号处理电路的信号输入端连接所述压阻传感模组的信号输出端；所述信号处理电路分别供电连接所述金属导线模组和所述压阻传感模组。2.根据权利要求1所述的差压式MEMS压阻传感器，其特征在于，所述金属导线模组包括：第一条形金属电极、第二条形金属电极和至少二根金属导线；所述至少二根金属导线并联在所述第一条形金属电极和所述第二条形金属电极之间；所述信号处理电路供电连接所述第一条形金属电极；所述第二条形金属电极接地。3.根据权利要求2所述的差压式MEMS压阻传感器，其特征在于，所述至少二根金属导线均平行于所述第二保护层设置。4.根据权利要求3所述的差压式MEMS压阻传感器，其特征在于，所述金属导线的横截面形状为矩形。5.根据权利要求2至4任一所述的差压式MEMS压阻传感器，其特征在于，所述金属导线的长度与截面积的比值大于设定数值。6.根据权利要求1所述的差压式MEMS压阻传感器，其特征在于，所述第一磁场发生装置为第一螺线管，所述第二磁场发生装置为第二螺线管；所述第一磁场发生装置和所述第二磁场发生装置均设置在所述固定支架远离所述第一保护层的一侧；其中，所述第一磁场发生装置和所述第二磁场发生装置在靠近所述第二保...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱曼红，李佳，王玮冰，陈大鹏，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：