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本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：碳化硅衬底，所述碳化硅衬底包括第一掺杂类型的掺杂层，所述掺杂层中设置有沟槽；位于所述掺杂层中的第二掺杂类型的掺杂区，所述掺杂区包括位于所述沟槽底部的第一掺杂区；以及金属电极，其中，...
该专利属于无锡华润上华科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润上华科技有限公司授权不得商用。

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