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本发明实施例公开了一种半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件，外延结构包括衬底以及位于衬底一侧的半导体层；半导体层至少包括设置于衬底一侧的缓冲层；沿源极预设区指向漏极预设区的方向，缓冲层包括相互连接的第一缓冲分部和第二缓冲分部，第一缓...
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