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本发明提出了一种硬掩模结构及其制造方法、半导体器件；所述硬掩模结构包括蚀刻阻挡层(100)，覆盖在蚀刻阻挡层(100)上的金属硬掩模层(200)以及覆盖在金属硬掩模层(200)上的至少一层缓冲层(300)；所述缓冲层(300)采用Si、Si...
该专利属于广州集成电路技术研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广州集成电路技术研究院有限公司授权不得商用。

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