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本发明涉及一种半导体结构及其制备方法。半导体结构包括：衬底，衬底具有选择栅区域及控制栅区域；第一栅氧化层，位于选择栅区域的上表面；第二栅氧化层，位于控制栅区域的上表面；第二栅氧化层的厚度大于第一栅氧化层的厚度；选择栅极结构，位于第一栅氧化层...
该专利属于广州粤芯半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广州粤芯半导体技术有限公司授权不得商用。

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