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本发明公开一种半导体器件及其制作方法、封装结构，包括：提供第一衬底，第一衬底包括含有读出电路的第一基底，以及第一基底上具有互连电路的第一介质层，互连电路连接读出电路，第一介质层设有空腔；在空腔中填充第一牺牲层；在第一衬底上形成感测元件，感测...
该专利属于中芯集成电路（宁波）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯集成电路（宁波）有限公司授权不得商用。

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