【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其制作方法、封装结构
[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种半导体器件及其制作方法、封装结构。
技术介绍
[0002]随着微电子机械系统(MEMS)技术的迅猛发展，基于MEMS微机械加工技术制作的微型化红外热堆传感器以其尺寸小、价格低等优势被广泛应用于测温、气体传感、光学成像等领域。红外热堆传感器的对温度的处理中，采用热电堆单元检测被测物体温度，热电堆单元阵列排布构成热电堆阵列。
[0003]目前，在热电堆阵列制造技术中，大多采用系统级封装(systemin a package,SIP)将热电堆以及读出电路合封在一起。但是，目前将热电堆以及读出电路合封在一起的方式常见的有以下两种：
[0004](1)热电堆单独制作，读出电路单独制作，通过打线把两颗芯片键合在一起。
[0005](2)热电堆和读出电路在同一芯片上一体集成。
[0006]其中，第(1)种方式的缺点是热电堆和读出电路单独制作，最后通过打线将其键合在一起，会增大芯片的体积，并且打线键合会增大噪声；第(2...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供第一衬底，所述第一衬底包括含有读出电路的第一基底，以及第一基底上具有互连电路的第一介质层，所述互连电路连接所述读出电路，所述第一介质层设有空腔；在所述空腔中填充第一牺牲层；在所述第一衬底上形成感测元件，所述感测元件与所述互连电路电连接；释放所述第一牺牲层。2.根据权利要求1所述的一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述空腔的形成方法包括：提供所述第一基底，所述第一基底包括读出电路；在所述第一基底上形成第一介质层，再在第一介质层内形成互连电路；或，在所述第一基底上形成多层子介质层，在子介质层之间形成子互连电路，所述子互连电路相互连通，所述多层子介质层形成所述第一介质层；刻蚀所述第一介质层形成所述空腔。3.根据权利要求1所述的一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述空腔的厚度为1/4λ，其中λ为红外线的波长。4.根据权利要求1所述的一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述感测元件包括第一部件和第二部件，所述第一部件为单晶硅薄膜或多晶硅薄膜。5.根据权利要求4所述的一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述感测元件包括热电堆。6.根据权利要求5所述的一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述热电堆的形成方法包括：形成所述第一牺牲层之后，在所述第一介质层上形成第三介质层，所述第三介质层覆盖所述第一牺牲层，在所述第一衬底上键合第二衬底，所述第二衬底依次包括第二基底、第二介质层和第一部件材料层；所述第一衬底与所述第二衬底键合之后，所述第一部件材料层位于所述第一衬底上，去除所述第二基底和所述第二介质层；刻蚀所述第一部件材料层，形成所述第一部件；在所述第一衬底上形成第二部件材料层，刻蚀所述第二部件材料层，形成所述第二部件，所述热电堆包括所述第一部件和所述第二部件。7.根据权利要求5所述的一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述热电堆的形成方法包括：形成所述第一牺牲层之后，在所述第一介质层上形成第三介质层，所述第三介质层覆盖所述第一牺牲层，在所述第一衬底上键合第二衬底，所述第二衬底依次包括第二基底、第二介质层以及形成在所述第二介质层上的第一部件和第二部件；第一衬底与第二衬底键合之后，所述第一部件和所述第二部件位于所述第一衬底上，去除所述第二基底和所述第二介质层；所述热电堆包括所述第一部件和所述第二部件。8.根据权利要求6或7所述的一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第二部件的材料为半导体、金属以及有机导电薄膜中的任一种。
9.根据权利要求6或7所述的一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述热电堆与所述互连电路电连接包括：形成所述第一部件和所述第二部件之后，在所述第三介质层上形成第四介质层，所述第四介质层覆盖所述第一部件和所述第二部件，所述热电堆包括所述第一部件和所述第二部件；所述热电堆通过电连接结构与所述互连电路连接；热电堆与所述互连电路电连接之后，在所述第四介质层上形成第五介质层，所述第五介质层覆盖所述热电堆和所述电连接结构。10.根据权利要求9所述的一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述热电堆与所述互连电路电连接之后，包括：在所述第五介质层的上表面形成延伸至所述第一牺牲层的释放通道；在所述第五介质层上形成第二...
【专利技术属性】
技术研发人员：韩凤芹，黄河，向阳辉，刘孟彬，周强，张镭，任黎明，
申请(专利权)人：中芯集成电路宁波有限公司，
类型：发明
国别省市：
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