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本申请公开半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：第一基底；位于所述第一基底表面的应用电路层；键合于所述应用电路层上的功能膜层，所述功能膜层的形成过程中采用的制备工艺条件对所述应用电路层内的至少部分结构具有负面影响。上述半导体结构降低了...
该专利属于中芯集成电路（宁波）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯集成电路（宁波）有限公司授权不得商用。

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