半导体结构及其形成方法技术

本申请公开半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：第一基底；位于所述第一基底表面的应用电路层；键合于所述应用电路层上的功能膜层，所述功能膜层的形成过程中采用的制备工艺条件对所述应用电路层内的至少部分结构具有负面影响。上述半导体结构降低了单芯片集成功能结构与应用电路的难度。集成功能结构与应用电路的难度。集成功能结构与应用电路的难度。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法


[0001]本申请涉及半导体
，具体涉及一种半导体结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]目前常用的MEMS器件，通常包括MEMS结构以及读取电路，所述读取电路用于获取所述MEMS结构产生的电信号。
[0003]现有技术中，形成MEMS器件的一种方式是，单独形成MEMS结构芯片和读取电路芯片，然后通过打线键合工艺形成两个芯片之间的电连接，但是打线键合会引入较大的信号噪声，加大了MEMS结构和读取电路的设计难度，同时两片芯片键合也使得MEMS器件芯片的体积较大。
[0004]为了进一步提高MEMS器件性能并减小芯片体积，现有技术还采用另一种方式，具体包括：在同一片芯片上同时集成MEMS结构以及读取电路，通过金属互连制程实现MEMS结构与读取电路之间的电连接。该过程中，MEMS结构以及读取电路，均可以采用CMOS工艺制成，但是需要同时兼顾MEMS结构以及读取电路内器件的性能，工艺开发难度大，周期长。并且，其中最为突出的问题是，由于MEMS结构的性能要求，通常其核心膜层会采用硅、多晶硅等膜层，需要采用高本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：第一基底；位于所述第一基底表面的应用电路层；键合于所述应用电路层上的功能膜层，所述功能膜层的形成过程中采用的制备工艺条件对所述应用电路层内的至少部分结构具有负面影响。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述功能膜层的形成过程中采用的工艺包括高温制程，所述高温制程的温度在450℃以上。3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述应用电路层包括应用电路以及连接所述应用电路的第一互连结构。4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述功能膜层内形成有功能结构，以及连接所述功能结构与所述第一互连结构的第二互连结构。5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述功能膜层表面直接键合于所述应用电路层表面。6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述功能膜层通过一键合层键合于所述应用电路层表面。7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述功能膜层为单层结构。8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述功能膜层为多层结构，相邻层之间为键合界面或沉积界面。9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述功能膜层包括单晶硅层、多晶硅层、碳化硅层、锗层、锗硅层、掺杂半导体层中的至少一种。10.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述功能结构包括MEMS结构。11.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述MEMS结构包括：热偶结构、压感结构、加速度传感结构或硅麦克风结构中的至少一种。12.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供第一基底，在所述第一基底上形成应用电路层；提供第二基底，所述第二基底表面形成有功能膜层，所述功能膜层的形成过程中采用的制备工艺条件对所述应用电路层内的至少部分结构具有负面影响；将所述第二基底与所述第一基底相对键合固...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩凤芹，黄河，
申请(专利权)人：中芯集成电路宁波有限公司，
类型：发明
国别省市：