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本发明公开一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域，用于解决器件结构为环栅晶体管的核心器件与输入/输出器件的兼容性较差的问题。上述制造方法包括：在衬底上形成结构相同的第一鳍部和第二鳍部。形成至少覆盖在第一鳍部和第二鳍部具有的沟道形成区外...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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