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本申请实施例提供一种半导体器件的形成方法及半导体器件；其中，方法包括：提供衬底，所述衬底包括阱区和非阱区；在所述阱区和所述非阱区上形成间隔排布的导电层叠结构；在所述导电层叠结构上形成导电连接层，所述导电连接层连接所述阱区的导电层叠结构，所述...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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