下载集成芯片及其形成方法的技术资料

文档序号:33913635

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在一些实施例中,本公开涉及一种集成芯片,包含布置在衬底上方和/或衬底内的源极区和漏极区。此外,浅沟槽隔离(STI)结构布置在衬底内和源极区与漏极区之间。栅极电极布置在衬底上方、STI结构上方以及源极区与漏极区之间。栅极电极的部分延伸到STI...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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