温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
在一些实施例中,本公开涉及一种集成芯片,包含布置在衬底上方和/或衬底内的源极区和漏极区。此外,浅沟槽隔离(STI)结构布置在衬底内和源极区与漏极区之间。栅极电极布置在衬底上方、STI结构上方以及源极区与漏极区之间。栅极电极的部分延伸到STI...该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。
温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
在一些实施例中,本公开涉及一种集成芯片,包含布置在衬底上方和/或衬底内的源极区和漏极区。此外,浅沟槽隔离(STI)结构布置在衬底内和源极区与漏极区之间。栅极电极布置在衬底上方、STI结构上方以及源极区与漏极区之间。栅极电极的部分延伸到STI...