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本公开涉及具有铟镓锌氧化物的双晶体管增益单元存储器。提供了一种具有铟镓锌氧化物(IGZO)晶体管的双晶体管(2T)增益单元存储器的示例。示例包括IGZO晶体管，该IGZO晶体管被包括在动态随机存取存储器(DRAM)单元中。包括在DRAM单元...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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