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集成电路互连结构包括在第一装置层级上方的金属化层级。金属化层级包括耦合到装置结构的互连结构、在互连结构的最上表面上的包括互连结构的金属与硅或锗的合金的导电帽。导电帽上方的第二装置层级包括与导电帽耦合的晶体管。晶体管包括包含半导体材料的沟道层...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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