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提供一种存储器件及其形成方法。存储器件包括：选择器；磁性隧道结(MTJ)结构，设置在选择器上；自旋轨道扭矩(SOT)层，设置在选择器与MTJ结构之间，其中SOT层具有与选择器的侧壁对准的侧壁；晶体管，其中晶体管具有电耦合到MTJ结构的漏极；...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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