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在一些实施例中，本公开涉及一种集成芯片及其形成方法。所述集成芯片包括设置在衬底上方的介电堆叠。所述介电堆叠具有交错在第二多个层之间的第一多个层。所述介电堆叠具有一个或多个表面，所述一个或多个表面界定在对应于所述第二多个层的不同垂直高度处凹入...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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