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本文中公开一种用于提供静电放电抗扰性的设备及其制造方法。所述设备包括：场效应晶体管，在前段工艺期间形成在前段工艺层中的半导体衬底上；金属内连线层，在后段工艺期间形成在前段工艺层顶部，其中金属内连线层包括配置成将场效应晶体管内连到形成在半导体...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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