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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括用于形成第一器件的第一区域以及用于形成第二器件的第二区域，所述第一器件的沟道长度大于所述第二器件的沟道长度；在所述第一区域的基底上形成多晶硅栅极层；在所述第二区域的基底上形成由下而上依...
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