温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

该发明公开了一种半导体表面缺陷的处理方法和半导体器件的制备方法，所述半导体表面缺陷的处理方法包括：将半导体器件置于等离子体处理设备内，所述半导体器件包括衬底和形成在所述衬底表面的沉积层，所述沉积层形成有气泡；对所述沉积层表面进行等离子体轰击...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。